[发明专利]集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片

权利要求书

1.一种集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于包括步骤：

1)提供一基片，其一表面具有用于生成集成电路的第一区域及用于生成电容式微硅麦 克风的第二区域；

2)按照标准半导体工艺流程在所述第一区域上生成集成电路，同时所述集成电路具有 的栅导电层及覆盖于所述栅导电层上的介质绝缘层延伸至所述第二区域；

3)去除所述第二区域上的所述介质绝缘层以暴露出位于所述第二区域上的栅导电层；

4)采用低于400℃的低温工艺在位于所述第二区域上的栅导电层上生成第一膜层以使 所述第一膜层与位于所述第二区域上的栅导电层组合形成的振动膜作为电容的一 极；

5)采用所述低温工艺在所述第一膜层上生成牺牲层；

6)采用低温工艺在所述牺牲层上形成可导电的背极板以使所述背极板作为电容的另 一极；

7)在所述背极板进行光刻及腐蚀工艺以形成导气孔；在制作导气孔的同时也得到电气 连接线，所述电气连接线实现微硅麦克风与集成电路的电气连接；

8)腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层，进而使在第一膜层及背极板之间 具有空气隙；

9)在所述基片另一表面相对于第二区域处进行光刻及腐蚀以形成背腔。

2.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 采用各向异性腐蚀液进行湿法腐蚀以形成所述背腔。

3.如权利要求2所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述各向异性腐蚀液为氢氧化钾及四甲基氢氧化铵溶液中的一种。

4.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 采用深槽反映离子刻蚀进行干法刻蚀以形成所述背腔。

5.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于还 包括在所述振动膜上开设窄槽的步骤。

6.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述牺牲层被部分腐蚀后仅留下连续处于所述振动膜全部边缘处的部分。

7.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述牺牲层被部分腐蚀后仅留下分散在所述振动膜边缘一点或多点的部分。

8.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述牺牲层被部分腐蚀后仅留下处于所述振动膜中心的部分。

9.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述第一膜层为单层膜或复合膜。

10.如权利要求1或9所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在 于：所述第一膜层为采用物理气相淀积工艺形成的氧化硅、氮化硅及非晶硅材料层中的一 种。

11.如权利要求1或9所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在 于：所述第一膜层为采用化学气相淀积形成的氧化硅、氮化硅、及非晶硅材料层中的一种。

12.如权利要求1或9所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在 于：所述第一膜层为采用低压化学气相淀积形成的聚对二甲苯材料层。

13.如权利要求1或9所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在 于：所述第一膜层为采用旋涂法或者喷涂法形成的有机物材料层。

14.如权利要求1所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述背极板为金属层与介质层材料形成的复合层。

15.如权利要求14所述的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法，其特征在于： 所述金属层为采用物理气相淀积工艺、化学镀及电镀中的任意一种工艺形成。