[发明专利]一种镉锑基p型热电材料及其制备方法无效
| 申请号: | 200710043842.5 | 申请日: | 2007-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN101101954A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
| 发明(设计)人: | 王小军;赵景泰;陈昊鸿;杨昕昕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/18;C22C29/00;C22C1/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种镉锑基p型热电材料及其制备方法,属于热电转换材料领域。本发明热电材料组成式为:RCd2-xZnxSb2-ySy,其中R为Yb,Eu,Ca,Sr,Ba中的一种或两种任意比例固溶;x为Zn的固溶组分,范围在0≤x<2;S为Ge,Sn,Se,Te中的一种,y为S掺杂的实际组分,范围在0≤x≤0.2。采用真空或惰性气氛下的固相合成,快速等离子体烧结(SPS)或热压烧结致密陶瓷样品的制备方法。所得样品YbCd2Sb2在430℃时ZT值达到0.8,与目前用于中温段(200℃~500℃)的成熟热电材料PbTe合金(ZT430℃=0.8)相当,本发明还通过对固溶和掺杂能进一步提高其热电转换效率,这种新型的热电材料制备方法简单,且空气中稳定,可应用于热电转换器件。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 镉锑基 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种镉锑基p型热电材料及其制备方法,其特征在于所述的热电材料的化学组成为:RCd2-xZnxSb2-ySy,其中R为Yb,Eu,Ca,Sr,Ba中的一种或两种,两种时以任意比例固溶;x为Zn的固溶组分,0≤x<2;;S为Ge,Sn,Se,Te中的一种,y为S掺杂的实际组分,0≤y≤0.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710043842.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种水培红掌营养液配方
- 下一篇:纯天然植物型染发剂





