[发明专利]一种镉锑基p型热电材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710043842.5 申请日: 2007-07-16
公开(公告)号: CN101101954A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 王小军;赵景泰;陈昊鸿;杨昕昕 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/18;C22C29/00;C22C1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种镉锑基p型热电材料及其制备方法,属于热电转换材料领域。本发明热电材料组成式为:RCd2-xZnxSb2-ySy,其中R为Yb,Eu,Ca,Sr,Ba中的一种或两种任意比例固溶;x为Zn的固溶组分,范围在0≤x<2;S为Ge,Sn,Se,Te中的一种,y为S掺杂的实际组分,范围在0≤x≤0.2。采用真空或惰性气氛下的固相合成,快速等离子体烧结(SPS)或热压烧结致密陶瓷样品的制备方法。所得样品YbCd2Sb2在430℃时ZT值达到0.8,与目前用于中温段(200℃~500℃)的成熟热电材料PbTe合金(ZT430℃=0.8)相当,本发明还通过对固溶和掺杂能进一步提高其热电转换效率,这种新型的热电材料制备方法简单,且空气中稳定,可应用于热电转换器件。
搜索关键词: 一种 镉锑基 热电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种镉锑基p型热电材料及其制备方法,其特征在于所述的热电材料的化学组成为:RCd2-xZnxSb2-ySy,其中R为Yb,Eu,Ca,Sr,Ba中的一种或两种,两种时以任意比例固溶;x为Zn的固溶组分,0≤x<2;;S为Ge,Sn,Se,Te中的一种,y为S掺杂的实际组分,0≤y≤0.2。
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