[发明专利]一种镉锑基p型热电材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710043842.5 申请日: 2007-07-16
公开(公告)号: CN101101954A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 王小军;赵景泰;陈昊鸿;杨昕昕 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/18;C22C29/00;C22C1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 镉锑基 热电 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种镉锑基p型热电材料及其制备方法,其特征在于所述的热电材料的化学组成为:RCd2-xZnxSb2-ySy,其中R为Yb,Eu,Ca,Sr,Ba中的一种或两种,两种时以任意比例固溶;x为Zn的固溶组分,0≤x<2;;S为Ge,Sn,Se,Te中的一种,y为S掺杂的实际组分,0≤y≤0.2。

2、按权利要求1所述的一种镉锑基p型热电材料的制备方法,其特征在于:

采用金属Yb,Eu,Ca,Sr,Ba中一种或两种,或金属Yb,Eu,Ca,Sr,Ba的任何二元化合物为原料;

采用金属Cd;Cd和Zn;或Cd和Zn与Ba,Ca,Sr,Yb,Eu的任何二元或三元化合物为原料;

采用金属Sb或Sb与Ge,Sn,Te的任何二元或三元化合物为原料;

将按化学计量比称量的原料放入不与原料和产物反应的容器当中,然后在真空或者惰性气氛下700℃~1200℃下灼烧至少12小时;

灼烧后的产物冷却后取出。

3、按权利要求2所述的一种镉锑基p型热电材料的制备方法,其特征在于对灼烧后的产物进行快速等离子体烧结或热压烧结。

4、按权利要求3所述的一种镉锑基p型热电材料的制备方法,其特征在于快速等离子体烧结的条件为烧结温度300℃~600℃,压力30~50Mpa。

5、按权利要求3所述的一种镉锑基p型热电材料的制备方法,其特征在于热压烧结温度300℃~700℃,压力20~60MPa。

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