[发明专利]直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法无效
| 申请号： | 200710041701.X | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101066763A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 牛俊杰;王健农;许前丰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态ZnS粉末为反应辅助剂，以惰性气体氩气为保护气体及载气，在硅片上生长成二氧化硅纳米线，再在合成出的二氧化硅纳米线表面蒸镀一层全氟硅烷，从而得到接触角高于140度的疏水性二氧化硅纳米线样品。本发明简单易行，无金属催化剂，对环境无污染，无明显易燃危险原料；超疏水性能高，可以在许多需要自清洗的领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 zns 粉末 合成 具有 疏水 二氧化硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态ZnS粉末为反应辅助剂，以惰性气体氩气为载气，在硅片上生长成二氧化硅纳米线，再在合成出的二氧化硅纳米线表面蒸镀一层全氟硅烷，从而得到接触角高于140度的超疏水性能二氧化硅纳米线样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710041701.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
