[发明专利]直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法

权利要求书

1、一种直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态ZnS粉末为反应辅助剂，以惰性气体氩气为载气，在硅片上生长成二氧化硅纳米线，再在合成出的二氧化硅纳米线表面蒸镀一层全氟硅烷，从而得到接触角高于140度的超疏水性能二氧化硅纳米线样品。

2、根据权利要求1所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，包括如下步骤：

第一步，反应在石英管式炉中进行，把固态ZnS粉末固定在石英管气体流入的一侧，矩形硅片放入石英管式炉中央；

第二步，将炉体温度升高到1350℃，在开始升温时，通入惰性气体氩气；

第三步，在反应温度1350℃下，保持腔内气体流量，反应持续进行，反应完后将反应产物取出，在硅片表面得到大量二氧化硅纳米线；

第四步，将得到的二氧化硅纳米线和全氟硅烷密封一并放入不锈钢器罐中，进行蒸镀，得到具有超疏水性能的二氧化硅纳米线样品。

3、根据权利要求2所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第一步中，反应在卧式石英管式炉中进行。

4、根据权利要求2所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第二步中，所述的将炉体温度升高到1350℃，升温速率为10℃/min。

5、根据权利要求2所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第二步中，所述的通入惰性气体氩气，气体流量为50-500ml/min。

6、根据权利要求2所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第三步中，所述的反应持续进行，持续时间为2-5小时。

7、根据权利要求2所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第四步中，所述的全氟硅烷，其体积为0.05-0.2ml。

8、根据权利要求2所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第四步中，所述的蒸镀，其温度为150度。

9、根据权利要求2或8所述的直接用ZnS粉末合成具有疏水性二氧化硅纳米线的方法，其特征是，第四步中，所述的蒸镀，其时间为3.0小时。