[发明专利]在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710040758.8 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101060075A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭益平;顾明元 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在Si基板上制备高度(110)取向铁电薄膜的方法，包括：粘结层材料的选择，(110)取向Pt的制备以及高度(110)取向钙钛矿型铁电薄膜的制备。使用氧化物电极作为SiO2/Si基板的缓冲层，并在氧化物缓冲层上通过物理溅射法制备(110)取向的Pt底部电极，最后在该Pt底部电极上制备高度(110)取向的钙钛矿型铁电薄膜。本发明方法简单，能够制备出一致性、重复性好的高度(110)取向的铁电薄膜。该薄膜具有优越的介电性能，可以满足微电子及MEMS等高技术应用对铁电薄膜材料性能的要求，对铁电薄膜材料的制备技术具有重大的影响。 | ||
| 搜索关键词： | si 基板上 制备 110 取向 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：1)选择LNO氧化物电极作为粘结层材料，在SiO2/Si基板上制备(100)取向的LNO粘结层，得到带有LNO粘结层的LNO/SiO2/Si基板；2)在带有LNO粘结层的LNO/SiO2/Si基板上，通过物理溅射法制备(110)取向的Pt底部电极，得到Pt/LNO/SiO2/Si基板；3)在Pt/LNO/SiO2/Si基板上，采用化学溶液法沉积BST薄膜，获得(110)取向的BST铁电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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