[发明专利]在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710040758.8 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101060075A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭益平;顾明元 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si 基板上 制备 110 取向 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：
1)选择LNO氧化物电极作为粘结层材料，在SiO2/Si基板上制备(100)取向的LNO粘结层，得到带有LNO粘结层的LNO/SiO2/Si基板；
2)在带有LNO粘结层的LNO/SiO2/Si基板上，通过物理溅射法制备(110)取向的Pt底部电极，得到Pt/LNO/SiO2/Si基板；
3)在Pt/LNO/SiO2/Si基板上，采用化学溶液法沉积BST薄膜，获得(110)取向的BST铁电薄膜。
2、根据权利要求1的在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法，其特征在于所述(100)取向的LNO粘结层的制备采用化学溶液法或物理溅射法。
3、根据权利要求1的在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法，其特征在于制备(110)取向的Pt底部电极时，将带有LNO粘结层的LNO/SiO2/Si基板安装到磁控溅射炉中，待真空度达到1×10-4Pa以上后，开始升温，基板温度控制在500-700℃，溅射功率密度控制在0.1w/cm2-5w/cm2，气氛采用氩气或氩气与氧气的混合气体，其中混合气体中氧气和氩气的比例为1∶2-5，沉积时的气压为0.1-10Pa。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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