[发明专利]一种硅微通道结构的自分离制作方法

摘要

本发明公开了一种硅微通道结构的自分离制作方法，其步骤包括：1.预处理；2.电化学过程；3.剥离，具体为：a.氧化/淀积掩膜；b.光刻；c.氢氧化钾腐蚀；d.去除掩膜；e.电化学深刻；f.微通道板剥离。利用本发明所阐述的制作方法制作出的大孔硅微通道，可具有易得高深宽比，容易分离等优点。

主权项

1、一种硅微通道结构的自分离制作方法，其具体步骤为：1)预处理即为电化学刻蚀定义起始点，包括(a)选取于(100)晶向成斜7度的p型硅片(b)表面氧化或淀积掩膜；(c)光刻定义硅片孔的位置；(d)取出清洗，去除掩膜，使用缓冲氢氟酸，在37℃的条件下腐蚀1～5分钟，再使用浓度温度为40wt％@80℃的氢氧化钾或浓度温度为25wt％@80℃的四甲基氢氧化胺溶液预腐蚀处理1～3分钟，形成倒金字塔结构时，停止腐蚀，用去离子水冲洗硅片并烘干；2)电化学过程即在需要刻蚀的结构四周形成深槽结构，它包括：将已形成倒金字塔结构的p型硅进行阳极氧化。阳极氧化溶液：用40％的氢氟酸和水配成1mol/l～6mol/l的溶液，再和四甲基甲酰胺按1∶1的比例混和，加入活性剂后，加入盐酸，调节PH到1～4，其阳极氧化电流控制在0.5mA～10mA/cm2之间，腐蚀在0℃～25℃温度之间进行，腐蚀2～20小时，腐蚀的平均速率为15～40μm/h，使腐蚀沿着倒金字塔的四个顶角向下刻蚀一定深度，形成小孔的微通道结构。3)剥离在上述工艺过程结束时采用大电流冲击，然后使用去离子水缓慢冲洗，可以实现微通道层的直接脱离浮起。