[发明专利]高分辨率微光学器件并行直写制作方法及制作系统

摘要

本发明公开了一种高分辨率微光学器件并行直写制作方法及制作系统。它是采用电寻址空间光调制器，由计算机控制实现光强调制，以及采用时间细分法扩展曝光量的动态范围、实现光强调制细分，获得曝光剂量和空间位置的高分辨率光刻曝光。采用基于傅里叶变换透镜和物镜组合的高精缩倍率光学系统，使所制作微光学器件的最小特征尺寸达到微米及亚微米量级。利用图形拼接技术，制作大尺寸的微光学器件。本发明由于采用逐个图形进行面曝光的方法使其具有内在的并行特性，大大提高了微光学器件的制作速度和精度，并降低了生产成本，设备结构简单可靠。

主权项

1、一种高分辨率微光学器件并行直写制作方法，其特征在于它是将电寻址空间光调制器，通过导线与计算机相连，由计算机输入和控制图形信号，平行光束垂直射向电寻址空间光调制器，电寻址空间光调制器对光束进行光强调制，并采用时间细分法对光强调制细分，经调制的光束经傅里叶变换透镜和物镜组合的高精缩倍率光学系统，将电寻址空间光调制器上显示的灰阶图形精缩成像于置于二维精密位移平台之上的涂有光刻胶的基片上，对基片上的光刻胶涂层进行曝光，通过移动二维精密位移平台，并由计算机控制同步切换电寻址空间光调制器上的显示图形，以拼接的方式对整块基片进行曝光，再对基片进行包括显影、清洗及坚膜等光刻处理工序。