[发明专利]一种制备纯净MoSi2-WSi2复合粉末的方法无效

专利信息
申请号: 200710034539.9 申请日: 2007-03-15
公开(公告)号: CN101264522A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 易茂中;彭可;冉丽萍 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: B22F9/16 分类号: B22F9/16;C22C1/04
代理公司: 中南大学专利中心 代理人: 胡燕瑜
地址: 410083*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种制备纯净MoSi2-WSi2复合粉末的方法:将Mo粉、W粉和Si粉按摩尔比(1-x)∶x∶2.02~2.06均匀混合后压制成形,其中0<x<1,将压坯推入钼丝炉中,先在低温下于H2气氛中停留30~60min,而后迅速推入1420~1500℃的高温段,保温10~60min,然后推入冷却段冷却;将反应后的物料破碎。本发明中由于加入了比反应摩尔比多0.1~0.3%的Si,可以完全消除燃烧合成产物中的Mo5Si3和W5Si3。此外,通过在硅熔点以上的保温,又能排除反应物中过量的Si,最终可以得到纯净的MoSi2-WSi2复合粉末,且工艺简单,生产效率高。
搜索关键词: 一种 制备 纯净 mosi sub wsi 复合 粉末 方法
【主权项】:
1. 一种制备纯净MoSi2-WSi2复合粉末的方法,其特征在于包含以下步骤:(1)将Mo粉、W粉和Si粉按摩尔比(1-x)∶x∶2.02~2.06均匀混合,其中0<x<1;(2)将混合粉末压制成形;(3)将压坯推入钼丝炉中,坯料先在400~600℃下于H2气氛中停留30~60min,而后迅速推入1420~1500℃的高温段,使之快速升温,保温10~60min,然后推入冷却段冷却;(4)将反应后的物料破碎。
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