[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710031829.8 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101197406A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;张建中;孙慧卿;尉然;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 51063*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅲ－Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管，包括纵向依次层叠的p型漏区、有源区、n型半导体层、缓冲层和衬底，所述的n型半导体层的横向台阶结构的左边为n型栅区，台阶结构的右边为n型源区，所述的n型栅区上有栅极电极，在n型栅区和栅极电极之间有通过肖特基接触形成的耗尽区，所述的n型源区上有源极电极，所述的p型漏区上有漏极电极。本发明的台阶上的横向结构利用金属半导体接触的场效应用于控制器件的发光强度，纵向结构用于复合发光的产生，这样的结构具有高发光效率、高亮度，且控制方便。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 金属 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III-V族发光金属半导体场效应晶体管，包括纵向依次层叠的p型漏区、有源区、n型半导体层、缓冲层和衬底，其特征在于：所述的n型半导体层的横向台阶结构的左边为n型栅区，台阶结构的右边为n型源区，所述的n型栅区上有栅极电极，在n型栅区和栅极电极之间有通过肖特基接触形成的耗尽区，所述的n型源区上有源极电极，所述的p型漏区上有漏极电极。
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