[发明专利]ppn型发光晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于III－V族化合物或者II－VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管，包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p^－型基区层，与p^－型基区层通过欧姆接触形成的电极、宽带隙p⁺型集电极层以及与p⁺型集电极层欧姆接触的电极；本发明还涉及所述ppn型发光晶体管的制备方法；本发明采用了p⁺型、p^－型、n型晶体管结构；具有p^－型基极可以控制发光。

主权项

1、一种ppn型发光晶体管，其特征在于包括衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的n型布拉格反射层、形成于n型布拉格反射层上的n型电子发射层、与n型电子发射层欧姆接触的发射电极、形成于n型电子发射层上的多量子阱有源发光层、形成于多量子阱有源发光层上的窄带隙p-型基区层，与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、通过突变同型异质结接触形成于p-型基区层之上的宽带隙p+型掺杂的集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极。