[发明专利]一种改进的栅源跟随采样开关设计方法及其开关电路无效
| 申请号： | 200710025686.X | 申请日： | 2007-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101110585A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;潘开阳;王沛;龙善丽;杜振场;李红;张萌;茆邦琴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改进的栅源跟随采样开关设计方法，通过减少常规栅源跟随开关中栅压导通开关在采样相时充电环路上的MOS管，降低了环路上的寄生电容，从而减少了分配到寄生电容上的电荷，提高了采样开关管的栅源提升电压，减小MOS开关的导通电阻。按所述方法设计的开关电路，设有时钟倍乘电路、栅压导通开关和采样开关，其特征在于，用一个电容代替栅压导通开关电路中的一个NMOS管，并在栅压导通开关电路中增加了一个PMOS管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 跟随 采样 开关 设计 方法 及其 开关电路 | ||
【主权项】：
1.一种改进的栅源跟随采样开关设计方法，其特征在于，通过减少常规栅源跟随开关中栅压导通开关在采样相时充电环路上的MOS管，降低了环路上的寄生电容，从而减少了分配到寄生电容上的电荷，提高了采样开关管的栅源提升电压，减小MOS开关的导通电阻。
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