[发明专利]太阳能硅片的切割制绒一体化加工方法及装置无效
申请号: | 200710025572.5 | 申请日: | 2007-08-07 |
公开(公告)号: | CN101101937A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 汪炜;刘志东;田宗军 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/3063 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 瞿网兰 |
地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种太阳能硅片的切割制绒一体化加工方法及装置,属特种加工范畴,针对低电阻率(0.01~100Ω·cm)的单晶或多晶硅锭,采用较高电导率(0.1~10ms/cm)工作液,基于无切削力的电火花放电和高温脉冲电化学腐蚀复合加工原理,实现太阳能硅片高效低成本切割及绒面制作,满足晶硅太阳电池的生产工艺需求。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 硅片 切割 一体化 加工 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种太阳能硅片的切割制绒一体化加工方法,其特征是:首先,以钼丝或钨丝作为工具电极,使走丝速度在1~15m/s之间可调,对太阳能硅棒或硅锭进行电火花电解复合切割及制绒一体化加工;其次,在加工过程中,脉冲电源的电压脉冲宽度在1-128μs之间可调,电压幅值0~100V可调,同时保证在脉冲间隔内仍维持足以使太阳能硅棒或硅锭表面产生电化学腐蚀的直流电压,该直流电压幅值应低于正常放电间隙的击穿电压;第三,在电极丝切割区域内喷射电导率为0.1~10ms/cm的工作液,以满足冷却和电化学腐蚀的需要。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的