[发明专利]N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法

摘要

本发明公开了一种N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法，产品在N型衬底的正面，由内向外依次设置N⁺扩散层、绒面结构、氮化硅薄膜层，在N型衬底的反面设置N⁺扩散层，在N型衬底反面的N⁺扩散层外侧设置SiO₂层，在SiO₂层与N型衬底之间还设置P⁺扩散层，SiO₂层外侧设置正、负电极，正电极通过SiO₂层中的接触孔与P⁺扩散层接触，负电极通过SiO₂层中的接触孔与N⁺扩散层接触。制造方法包括选材、形成绒面结构、N⁺层扩散、形成钝化的掩蔽SiO₂层、刻蚀、硼扩散、激光背面打孔、去除硅片正面的SiO₂层、淀积氮化硅薄膜、印刷正负电极等步骤。本发明产品结构合理，效率高、性价比高，制造方法简便、易操作。

主权项

1、一种N型衬底的单面引出电极晶体硅电池，其特征是：包括N型衬底，在N型衬底的正面，由内向外依次设置N+扩散层、绒面结构、氮化硅薄膜层，在N型衬底的反面设置N+扩散层，在N型衬底反面的N+扩散层外侧设置SiO2层，在SiO2层与N型衬底之间还设置P+扩散层，SiO2层外侧设置正、负电极，正电极通过SiO2层中的接触孔与P+ 扩散层接触，负电极通过SiO2层中的接触孔与N+扩散层接触。