[发明专利]N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法

权利要求书

1.一种N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：依次包括下列步骤：

(1)选择电阻率为0.5～6Ω·cm的N型单晶硅片，用温度为50～85℃的10～20％的氢氧化钠溶液，去除每边的损伤层；然后将经上述处理的N型单晶硅片的正面用1.5～2％的氢氧化钠溶液及异丙醇和缓蚀剂硅酸钠进行腐蚀，腐蚀时间为20～40分钟，然后中和清洗，形成绒面结构；

(2)N⁺层扩散：将经步骤(1)处理的硅片在炉温为840～900℃下，进行磷扩散，磷扩散得方块电阻控制在20～80Ω/方块，在正反两面均形成N⁺扩散层；

(3)形成钝化的掩蔽SiO₂层：将经步骤(2)处理后得硅片在炉温为900～1100℃下处理1～5小时，同时通入三氯乙烷进行掺氯氧化，在硅片的正反面均形成SiO₂层；

(4)刻蚀、硼扩散：对硅片反面进行激光刻蚀，并在刻蚀区域进行定域硼扩散，硼扩散的条件为：炉温1000～1100℃，时间1～3小时，形成P⁺扩散层；

(5)激光背面打孔：用激光在硅片背面打穿透SiO₂层的接触孔，包括位于N⁺扩散层部位的接触孔和位于P⁺扩散层部位的接触孔；

(6)将硅片正面的SiO₂层去除；

(7)淀积氮化硅薄膜：在硅片正面淀积氮化硅薄膜；

(8)印刷正负电极：在硅片背面印刷正负电极，烘干、烧结得产品。

2.根据权利要求1所述的N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：步骤(1)中异丙醇和缓蚀剂硅酸钠的浓度均为1～3％。

3.根据权利要求1所述的N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：步骤(2)中采用POCl₃为扩散源。

4.根据权利要求1所述的N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：步骤(4)中采用三溴化硼为扩散源。

5.根据权利要求1所述的N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：步骤(6)中采用下列重量配比的腐蚀液去除硅片正面的SiO₂层：水:硫酸:氢氟酸:氟化铵＝1:(0.4～0.5):(0.05～0.10):(0.3～0.45)。

6.根据权利要求1所述的N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：步骤(7)中氮化硅薄膜的淀积厚度为70～80μm。

7.根据权利要求1所述的N型衬底的单面引出电极晶体硅电池的制造方法，其特征是：步骤(8)中，正负电极的面积比为7:3，负电极的最细线条为100～200μm。