[发明专利]化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法

摘要

本发明公开了一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法。主要解决现有技术制作空气桥拱形高度低，宽度窄，器件可靠性差的问题。其工艺过程是：在基片上分别涂前烘温度不同的剥离胶和光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲层；再将涂有两种胶的基片用135℃-145℃的低温烘烤15-25min，使桥区的牺牲层成为拱形结构；接着在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层，并在起镀层上涂光刻胶，再光刻出桥区及电极区域；接着在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au；最后依次去除掩膜光刻胶、去除起镀层的Au和Ti、去除牺牲层，得到拱形空气桥。本发明具有拱形高度高，宽度宽，器件可靠性好的优点。

主权项

1.一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法，包括如下过程：在Si或者GaN基片上涂前烘温度为160℃的高温剥离胶，再涂前烘温度为85℃的低温光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲层；将涂有所述两种胶的基片放在烘箱中进行烘烤，使桥区的牺牲层成为表面光滑整齐的完整拱形结构，烘烤温度：135℃-145℃的低温，烘烤时间：15-25min；在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层；在起镀层上涂光刻胶并光刻出桥区及电极区域；在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au；利用常规工艺依次进行去除掩膜光刻胶、去除起镀层的Au和Ti、去除牺牲层，得到拱形空气桥。