[发明专利]化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法

权利要求书

1.一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法，包括如下过程：

在Si或者GaN基片上涂前烘温度为160℃的高温剥离胶，再涂前烘温度为85℃的光刻胶，并在其中间位置光刻出桥区(6)及桥区两边的电极区域(3)，使该桥区(6)形成牺牲层；

将涂有所述两种胶的基片放在烘箱中进行烘烤，使桥区的牺牲层成为表面光滑整齐的完整拱形结构，烘烤温度：135℃—145℃的低温，烘烤时间：15—25min；

在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层(4)；

在起镀层(4)上涂光刻胶并光刻出桥区及电极区域；

在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au，形成金属层(5)；

利用泛曝光工艺去除非电镀区域(8)上的光刻胶，用腐蚀工艺去除起镀层(4)，用去剥离胶溶液去除桥区(6)的牺牲层，得到拱形空气桥。

2.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于剥离胶采用LOR5A型号，光刻胶采用EPI622型号，且剥离胶和光刻胶的厚度比例为2:3～5:5。

3.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于牺牲层的总厚度至少为2μm。

4.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于起镀层为5nm的Ti薄层加上75nm-95nm的Au薄层。

5.一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法，包括如下过程：

在制作完源、漏接触和肖特基接触后的GaN HEMTs器件上，先涂上前烘温度为160℃的高温剥离胶，再涂前烘温度为85℃的光刻胶，并在中间位置光刻出桥区(6)及桥区两边的电极区域(3)，使该桥区(6)形成牺牲层；

将涂有所述两种胶的基片放在烘箱中进行烘烤，使桥区的牺牲层成为表面光滑整齐的完整拱形结构，烘烤温度：135℃—145℃的低温，烘烤时间：15—25min；

在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层(4)；

在起镀层(4)上涂光刻胶并光刻出桥区及电极区域；

在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au形成金属层(5)；

在电镀Au后的电镀层面即金属层(5)上，涂光刻胶并光刻出非电镀区域(8)；

利用腐蚀工艺去除非电镀区域(8)上的起镀层(4)，用泛曝光工艺去除金属层(5)上的光刻胶(7)，用去剥离胶溶液去除桥区(6)的牺牲层，得到拱形空气桥。

6.根据权利要求5所述的空气桥制作方法，其特征在于剥离胶采用LOR5A型号，光刻胶采用EPI622型号，且剥离胶和光刻胶的厚度比例为2:3～5:5。

7.根据权利要求5所述的空气桥制作方法，其特征在于牺牲层的总厚度至少为2μm。

8.根据权利要求5所述的空气桥制作方法，其特征在于起镀层为5nm的Ti薄层加上75nm-95nm的Au薄层。

9.一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法，包括如下过程：

在制作完源、漏接触和肖特基接触的GaN HEMTs器件上，先涂前烘温度为160℃的高温剥离胶，再涂前烘温度为85℃的光刻胶，并在其中间位置光刻出桥区及桥区两边的电极区域(3)，使该桥区(6)形成牺牲层；

将涂有所述两种胶的基片放在烘箱中进行烘烤，使桥区的牺牲层成为表面光滑整齐的完整拱形结构，烘烤温度：140℃的低温，烘烤时间：20min；

在牺牲层上淀积一层100nm起镀层(4)；

在起镀层上涂光刻胶并光刻出桥区及电极区域；

在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au，形成金属层(5)；

利用泛曝光工艺去除非电镀区域(8)上的光刻胶，用腐蚀工艺去除起镀层(4)，用去剥离胶溶液去除桥区(6)的牺牲层，得到拱形空气桥。

10.根据权利要求9所述的空气桥制作方法，其特征在于剥离胶采用LOR5A型号，光刻胶采用EPI622型号，且剥离胶和光刻胶的厚度比例为2:3～5:5；牺牲层的总厚度至少为2μm；起镀层为5nm的Ti薄层加上75nm-95nm的Au薄层。