[发明专利]超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统

摘要

本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成，沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低，运行稳定，成膜质量好等优点，可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。

主权项

1、一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，该系统包括储液罐(21)、雾化室(24)、沉积室(40)和鼓泡池(39)，其特征在于，储液罐(21)的出液口(7)与雾化室(24)的进液口(14)相连接，储液罐(21)的进气孔(1)与雾化室(24)的液位线处在同一水平线上，雾化室(24)的气雾出口(8)与沉积室(40)的气雾入口(27)相连接，气雾入口(27)与喷头(35)相连接，沉积室(40)的废气出口(38)与鼓泡池(39)连接。