[发明专利]超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统

权利要求书

1、一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，该系统包括储液罐(21)、雾化室(24)、沉积室(40)和鼓泡池(39)，其特征在于，储液罐(21)的出液口(7)与雾化室(24)的进液口(14)相连接，储液罐(21)的进气孔(1)与雾化室(24)的液位线处在同一水平线上，雾化室(24)的气雾出口(8)与沉积室(40)的气雾入口(27)相连接，气雾入口(27)与喷头(35)相连接，沉积室(40)的废气出口(38)与鼓泡池(39)连接。

2、根据权利要求1所述的超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，其特征在于，所述的储液罐(21)是一圆柱形容器，顶端是密封的进液口(6)，在罐体壁上有一进气孔(1)，进气孔(1)形状为“Δ”形，进气孔(1)外紧贴罐壁有一根竖直进气管(5)，竖直进气管(5)的底端比进气孔(1)低，管底封闭，而竖直进气管内部(2)通过进气孔(1)与储液罐内部(3)相连通，竖直进气管(5)的上端伸至罐顶，储液罐(21)底接有一带阀门的出液口(7)。

3、根据权利要求1所述的超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，其特征在于，所述的雾化室(24)中部为圆柱形的内部空腔(13)，上下部分分别为向上渐缩管(9)和向下渐缩管(15)圆锥形空腔的容器，靠近底部有一进液口(14)，底部安装有雾化片(16)，在液面以上的壁面上有至少六个以上的气孔(12)，以相等间隔排成一圈，雾化室(24)内部空间(13)通过气孔(12)与套在容器外壁的环形导气管(11)相通，水平环形排列、间隔相等分布在雾化室(24)壁面上的多个气孔(12)作为进气口(10)，进气口(10)连通环形导气管(11)，环形导气管(11)通过气孔(12)连通雾化室(24)内部空腔(13)，雾化室(24)顶部为气雾出口(8)。

4、根据权利要求1所述的超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，其特征在于，所述的喷头(35)内部为一圆柱形空腔(19)，入口(17)到空腔(19)之间是一段渐扩管(18)，喷头(35)底部为一条缝隙(20)。

5、根据权利要求1所述的超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，其特征在于，所述的沉积室(40)为一密封室，沉积室(40)顶部是一操作开口(28)，侧壁有一维修开口(33)，两个开口均为法兰结构，沉积室(40)侧壁有一个气雾入口(27)，沉积室(40)底部中心有一个废气出口(38)，气雾入口(27)和废气出口(38)在沉积室(40)外均接有真空球阀，沉积室(40)侧壁上还有两个带真空球阀的抽气口(30)和进气口(31)，加热台(37)、螺杆(34)、喷头(35)、限位开关(32)、电动机均在沉积室(40)内部，气雾入口(27)与喷头(35)之间用一柔性橡胶管(29)连接，螺杆(34)安装在加热台(37)正上方，喷头(35)安装在螺杆(34)的滑块(41)上，螺杆(34)两端的上面安装了限位开关(32)，限位开关(32)位置在沿螺杆(34)轴向上可以调节。

6、根据权利要求1所述的超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统，其特征在于，从雾化室(24)到喷头(35)之间的输送雾气的管路截面都为圆形，从雾化室(24)内部空腔(13)到气雾出口(8)之间有一段向上渐缩管(9)，从气雾出口(8)到喷头(35)的入口(17)之间的管道内径保持恒定，从喷头(35)的入口(17)到内部的空腔(19)有一段渐扩管(18)。