[发明专利]用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法

摘要

本发明公开了一种用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法，将等离子体设备抽真空使其处于真空状态，将人造多晶金刚石体置入等离子体设备中，用弧光放电在人造多晶金刚石表面制作导电薄膜，制作过程持续1－1.5小时，制作温度是700℃－850℃，直流负偏压是50V－280V，最后在人造多晶金刚石表面得到导电薄膜。本发明的积极贡献在于：经过反复研究试验，打破了本领域长期以来一直认为只有单晶金刚石才可用于制作晶体管的传统观念，提供了一种造价低、导电性能好、功率大的人造多晶金刚石晶体管。跨导值参数比国外同类产品的最高值高出20多倍，特别适合于航天、航空和武器装备等国防领域。

主权项

1、用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法，其特征在于：将等离子体设备抽真空使其处于真空状态，将人造多晶金刚石体置入等离子体设备中，用弧光放电在人造多品金刚石表面制作导电薄膜，制作过程持续1-1.5小时，制作温度是700℃-850℃，直流负偏压是50V-280V，最后在人造多晶金刚石表面得到导电薄膜。