[发明专利]用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法无效
| 申请号： | 200710013325.3 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101012550A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李西勤;赵仕忠 | 申请（专利权）人： | 山东泉舜科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/52;C23C16/30 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 | 代理人： | 宋永丽 |
| 地址： | 250101山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 弧光 放电 等离子体 化学 沉淀 金刚石 表面 制备 半导体材料 方法 | ||
【说明书】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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