[发明专利]用于蚀刻过程的晶圆保持装置及控制晶圆蚀刻速率的方法

摘要

本发明公开了一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括底盘；设置于所述底盘上的顶盖，该顶盖设有至少一个物料孔；位于所述底盘上且放置于所述顶盖的物料孔内的底板凸台；及安放于所述底板凸台上且放于所述物料孔内的晶圆夹具，该晶圆夹具承载将进行蚀刻的晶圆。所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产品气体，从而改善晶圆的蚀刻均匀性。本发明还公开了一种控制晶圆局部蚀刻速率的方法，所述晶圆表面与所述物料孔的内壁之间形成几何台阶，通过改变几何台阶高度加快或减慢局部的蚀刻反应，从而改善晶圆的蚀刻均匀性。

主权项

1.一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括：底盘；顶盖，设置于所述底盘上，该顶盖设有至少一个物料孔；底板凸台，位于所述底盘上，且收容于所述顶盖的物料孔内；及晶圆夹具，位于所述底板凸台上，且收容于所述物料孔内，承载预进行蚀刻的晶圆；其特征在于：所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产气体。