[发明专利]用于蚀刻过程的晶圆保持装置及控制晶圆蚀刻速率的方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括：

底盘；

顶盖，设置于所述底盘上，该顶盖设有至少一个物料孔；

底板凸台，位于所述底盘上，且收容于所述顶盖的物料孔内；

及晶圆夹具，位于所述底板凸台上，且收容于所述物料孔内，承载预进行蚀刻的晶圆；其特征在于：

所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产气体。

2.如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于：所述气体稀释凹槽的数量为四个，所述物料孔是圆形的，所述四个气体稀释凹槽环绕所述圆形物料孔均匀分布。

3.如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于：所述顶盖为圆形的，所述物料孔的数量为三个，所述三个物料孔环绕所述圆形顶盖的中心均匀分布。

4.如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于：所述顶盖由铝、不锈钢或陶瓷材料制成。

5.如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于：所述气体稀释凹槽大致呈三角形状。

6.如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于：所述顶盖的厚度为所述稀释气体凹槽深度的1.25至2.5倍。

7.如权利要求6所述的晶圆保持装置，其特征在于：所述顶盖的厚度为3.0至5.0毫米，所述气体稀释凹槽的深度为1.0至2.5毫米。

8.一种在蚀刻过程中控制晶圆预蚀刻表面外围区域的蚀刻速率的方法，包括以下步骤：

提供一晶圆保持装置，所述晶圆保持装置包括一底盘及一安装于该底盘的顶盖，所述顶盖具有物料孔；

放置所述晶圆于所述物料孔内，从而在所述物料孔的内壁与所述晶圆表面的外围区域之间形成一几何台阶；

蚀刻所述晶圆预蚀刻的表面；及

改变所述几何台阶的高度以调整所述晶圆在其外围区域的蚀刻速率。

9.如权利要求8所述的控制蚀刻速率的方法，其特征在于：所述晶圆保持装置进一步包括一安装于所述底盘上且收容于所述物料孔的底板凸台和一安装于所述底板凸台的晶圆夹具，其中所述晶圆安装于所述晶圆夹具上。

10.如权利要求8所述的控制蚀刻速率的方法，其特征在于：改变所述几何台阶的高度的步骤包括增加所述晶圆预蚀刻表面与所述底盘之间的距离，从而使所述预蚀刻表面高于所述顶盖。

11.如权利要求8所述的控制蚀刻速率的方法，其特征在于：改变所述几何台阶的高度的步骤包括减少所述晶圆预蚀刻表面与所述底盘之间的距离，从而使所述预蚀刻表面低于所述顶盖。

12.如权利要求9所述的控制蚀刻速率的方法，其特征在于：改变所述几何台阶的高度是通过调整所述底板凸台的厚度实现的。