[发明专利]具有电容器的半导体元件的制造方法

摘要

一种具有电容器的半导体元件的制造方法，先提供具有存储单元区、低压元件区、高压元件区与电容区的基底，且基底上已形成有垫层。在存储单元区与低压元件区上形成掩模层。然后在高压元件区与电容区上形成第一介电层。接着，移除存储单元区与低压元件区上的掩模层与垫层。之后在存储单元区与低压元件区上形成一层第二介电层。再在基底上形成光致抗蚀剂层，裸露出电容区上的第一介电层与低压元件区上的第二介电层。而后以光致抗蚀剂层为掩模，移除电容区上的部分第一介电层，并且移除光致抗蚀剂层。继而在基底上形成导体层。

主权项

1. 一种具有电容器的半导体元件的制造方法，包括：提供基底，该基底包括存储单元区、低压元件区、高压元件区与电容区，且该基底上已形成有垫层；在该存储单元区与该低压元件区的该垫层上形成掩模层；在该高压元件区与该电容区的该基底上形成第一介电层；移除该存储单元区与该低压元件区上的该掩模层与该垫层；在该存储单元区与该低压元件区上形成第二介电层，该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度；在该基底上形成光致抗蚀剂层，覆盖住该存储单元区与该高压元件区，裸露出该电容区上的该第一介电层与该低压元件区上的该第二介电层；以该光致抗蚀剂层为掩模，移除该电容区上的部分该第一介电层与该低压元件区的该第二介电层；移除该光致抗蚀剂层；在该低压元件区上形成第三介电层；以及在该基底上形成导体层。