[发明专利]使得非晶硅电池变得更稳定的化学退火办法

摘要

本发明公开了一种改进本征非晶硅薄膜的稳定性的化学退火方法。在使用等离子体增强化学气相沉积法生成氢化非晶硅的过程中，2－10纳米厚硅膜的生长和氢气等离子体的化学退火处理交替进行，使得氢化硅材料的原子结构得到充分的重建和松动，并降低电子缺陷密度。这种材料特别适用于p－i－n型光伏器件中的i层。

主权项

1. 一种非掺杂的基于氢化硅的薄膜，由使用两个平行电极板的等离子体增强化学气相沉积法形成，其特征在于：它的形成由如下两个交替进行的步骤组成：a)生长2-10纳米厚的非晶硅薄膜，其做法是使用硅烷和氢气的混合气体，将基板温度保持在150-220℃之间，使用20-100mW/cm2的射频放电功率密度，其生长速率不高于0.6纳米/秒；b)在上述非晶硅薄膜上施加纯氢气的等离子放电，其持续时间在20-300秒之间，所使用的射频放电功率密度为20-80mW/cm2，气压不低于2mbar。