[发明专利]使得非晶硅电池变得更稳定的化学退火办法无效
| 申请号： | 200710002576.1 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101235492A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/52;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使得 非晶硅 电池 变得 稳定 化学 退火 办法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种非掺杂的基于氢化硅的薄膜，由使用两个平行电极板的等离子体增强化学气相沉积法形成，其特征在于：它的形成由如下两个交替进行的步骤组成：
a)生长2-10纳米厚的非晶硅薄膜，其做法是使用硅烷和氢气的混合气体，将基板温度保持在150-220℃之间，使用20-100mW/cm2的射频放电功率密度，其生长速率不高于0.6纳米/秒；
b)在上述非晶硅薄膜上施加纯氢气的等离子放电，其持续时间在20-300秒之间，
所使用的射频放电功率密度为20-80mW/cm2，气压不低于2mbar。
2. 根据权利要求1所述的非掺杂的基于氢化硅的薄膜，其特征在于：在所述的两个交替进行的步骤之间，等离子体辉光放电过程不被打断，而仅仅周期性的将硅烷气体从所提供的气体混合物中排除。
3. 一个单结或多结的基于薄膜硅的p-i-n型太阳能电池，其特征在于：其中至少有一个i层含有根据权利要求1或2所述的非掺杂的基于氢化硅的薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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