[发明专利]在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术

摘要

本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是一个方法采用具有三个平行电极的RF－PECVD系统的镀膜方法。此方法将基板放置于通常盛有基板的等离子体区域之外。在两个平行的用于产生等离子体的电极板上事先镀有硅材料，该材料在具有蚀刻性的等离子体激发下从电极上被剥离掉，并以扩散的方式透过网状的正电极而达到并沉积在置于正电极后面的基板上。这种镀膜方式的优点包括它不依赖于外界提供的硅原材料，从而达到良好的大面积镀膜的均匀性，而且即使在使用大功率，从而得到很高的增长速率时，薄膜的性能也不会受到具有很强轰击性的等离子体的影响。

主权项

1. 一个依赖于等离子体蚀刻效应的薄膜沉积装置，其特征在于：是三个电极构成的射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)镀膜系统，其所述电极分别为表面上镀有硅材料的负电极，表面上镀有硅材料的网状或有高密度窟窿的正电极，及放置于所述正电极后面的载有基板的第三电极。所述的正电极具有足够的穿透性，从而使得产生于所述正电极和所述负电极之间的硅类镀膜前期物质可以达到第三电极的表面。该系统在向基板镀膜时不需要外界提供含硅的原材料。