[发明专利]在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术

权利要求书

1. 一个依赖于等离子体蚀刻效应的薄膜沉积装置，其特征在于：是三个电极构成的射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)镀膜系统，其所述电极分别为表面上镀有硅材料的负电极，表面上镀有硅材料的网状或有高密度窟窿的正电极，及放置于所述正电极后面的载有基板的第三电极。所述的正电极具有足够的穿透性，从而使得产生于所述正电极和所述负电极之间的硅类镀膜前期物质可以达到第三电极的表面。该系统在向基板镀膜时不需要外界提供含硅的原材料。

2. 根据权利要求1所述的依赖于等离子体蚀刻效应的薄膜沉积装置而进行硅薄膜沉积的方法，其特征由下列步骤显示：

a)在所述的正电极和所述的负电极表面镀上硅材料，包括非晶硅，微晶硅，和它们的合金；

b)在所述的第三电极面向所述网状正电极的一面放置被用来镀膜的基板；

c)在PECVD反应室注入被等离子体激发后对硅具有蚀刻性的气体混合物，包括氢气、含氟或含氯的气体，或上述气体的混合物；

d)向负电极上施加射频电力(RF电力)，使得所述负电极和所述正电极之间产生并维持等离子体状态，并将指电极上的硅材料蚀刻、剥离，这些活性的含硅的基子与扩散的方式穿过透射性的正电极，达到并沉积在置于所述第三电极上的基板表面；

e)所述的沉积于基板上的硅薄膜的性质，可以通过施加于所述的正电极和所述的第三电极之间的直流电压而改变。

3. 根据权利要求2所述的一个依赖于等离子体蚀刻效应的薄膜沉积方法，其特征在于：使用的所述基板为镀有透明导电膜的玻璃片。