[发明专利]非挥发内存的重置方法

摘要

本发明一种非挥发内存的重置方法，此非挥发内存包括第一导电型基底上的多个记忆胞，其中每一记忆胞包括部分基底、控制闸、此部分基底及控制闸之间的电荷储存层，以及此部分基底中的二第二导电型源/漏极区。此重置方法是利用双边偏压－频带穿隧热电洞效应来进行，包括在基底上施加第一电压，并在各源/漏极区上施加第二电压，其与第一电压的差足以产生频带穿隧热电洞；并包括控制各控制闸上所施加的闸电压以及该些电压的施加时间，以使各记忆胞所具有的启始电压收敛至一可容许范围内。

主权项

1.一种非挥发内存的重置方法，其特征在于：该非挥发内存包括一第一导电型基底上的多个记忆胞，其中每一记忆胞包括部分该基底、一控制闸、该部分基底及控制闸之间的一电荷储存层，以及该部分基底中的二第二导电型源/漏极区，该方法是利用双边偏压-频带穿隧热电洞效应来进行，包括：在该基底上施加一第一电压，并在各该二源/漏极区上施加一第二电压，其与该第一电压的差足以产生频带穿隧热电洞；以及控制各该控制闸上所施加的一闸电压以及该些电压的一施加时间，以使该些记忆胞所具有的启始电压收敛至一可容许范围内。