[发明专利]非挥发内存的重置方法有效
| 申请号： | 200710001281.2 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101226942A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发 内存 重置 方法 | ||
1.一种非挥发内存的重置方法，其特征在于：该非挥发内存包括一第一导电型基底上的多个记忆胞，其中每一记忆胞包括部分该基底、一控制闸、该部分基底及控制闸之间的一电荷储存层，以及该部分基底中的二第二导电型源/漏极区，该方法是利用双边偏压-频带穿隧热电洞效应来进行，包括：
在该基底上施加一第一电压，并在各该二源/漏极区上施加一第二电压，其与该第一电压的差足以产生频带穿隧热电洞；以及
控制各该控制闸上所施加的一闸电压以及该些电压的一施加时间，以使该些记忆胞所具有的启始电压收敛至一可容许范围内。
2.如权利要求1所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：各该控制闸上施加的该闸电压等于该第一电压。
3.如权利要求2所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该第一导电型为P型，该第二导电型为N型，且该第二电压高于该第一电压。
4.如权利要求3所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该第一电压为0V，且该第二电压为5V～7V。
5.如权利要求1所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该闸电压包括交替施加的一第三电压及一第四电压，该第三电压高于该第一电压，且该第四电压低于该第一电压。
6.如权利要求5所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该第一电压与及该第三电压的差等于该第一电压与该第四电压的差，且每一次施加该第三电压的时间等于每一次施加该第四电压的时间。
7.如权利要求6所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该第一导电型为P型，该第二导电型为N型，且该第二电压高于该第一电压。
8.如权利要求7所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该第一电压为0V，该第二电压为5V～7V，该第三电压为5V～7V，且该第四电压为-5V～-7V。
9.如权利要求1所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该电荷储存层包括一浮置闸、一电荷补陷层或一纳米晶粒层。
10.如权利要求9所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该电荷储存层包括一电荷补陷层或一纳米晶粒层，且每一记忆胞包括分别靠近该二源/漏极区的二数据储存区。
11.如权利要求1所述的非挥发内存的重置方法，其特征在于：该非挥发内存具有一虚拟接地陈列结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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