[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，其通过固相扩散使基板和半导体芯片的电极端子倒装芯片结合在一起，并用热塑性树脂底部填充所述基板和半导体芯片之间的间隙，而不会由于底部填料硬化步骤中的热破坏所述电极端子之间的结合。该制造方法包括通过固相扩散使基板和半导体芯片的电极端子倒装芯片结合的结合步骤，用底部填充材料填充基板和半导体芯片之间间隙的底部填料填充步骤，以及将底部填充材料加热至硬化温度以硬化所述底部填充材料的底部填料硬化步骤。在所述底部填料硬化步骤期间，将在基板和半导体芯片中的具有较低热膨胀系数的构件加热至比另一个构件更高的温度。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：结合步骤，在该步骤中通过固相扩散将基板的电极端子与半导体芯片的电极端子倒装芯片结合；底部填料填充步骤，在该步骤中用包括热塑性树脂的底部填充材料填充该基板与该半导体芯片之间的间隙；以及底部填料硬化步骤，在该步骤中将该底部填充材料加热至硬化温度以硬化该底部填充材料，其中在该底部填料硬化步骤中，将该基板和该半导体芯片中的具有较低热膨胀系数的构件加热至比该基板和该半导体芯片中的另一个构件更高的温度。