[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710001218.9 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101071777A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 海沼则夫;吉良秀彦;小八重健二;中村公保;石川邦子;尾崎行雄 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
结合步骤，在该步骤中通过固相扩散将基板的电极端子与半导体芯片的电极端子倒装芯片结合；
底部填料填充步骤，在该步骤中用包括热塑性树脂的底部填充材料填充该基板与该半导体芯片之间的间隙；以及
底部填料硬化步骤，在该步骤中将该底部填充材料加热至硬化温度以硬化该底部填充材料，
其中在该底部填料硬化步骤中，将该基板和该半导体芯片中的具有较低热膨胀系数的构件加热至比该基板和该半导体芯片中的另一个构件更高的温度；并且设定该基板和该半导体芯片的相应加热温度，以使该基板与该半导体芯片膨胀相同的量。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中该半导体芯片的热膨胀系数低于该基板的热膨胀系数，并且
在该底部填料硬化步骤中，通过将加热构件设置成接触或靠近该半导体芯片的、与其上形成有所述电极端子的表面相对的表面，加热该半导体芯片和该底部填充材料以硬化该底部填充材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中在该结合步骤中，将该基板的电极端子与该半导体芯片的电极端子接触设置，并将超声波振动施加至该半导体芯片上以通过固相扩散使所述电极端子结合在一起。
4.一种半导体器件的制造方法，包括：
底部填料施加步骤，在该步骤中将包括热塑性树脂的底部填充材料施加至基板上的电极端子形成面上；
结合步骤，在该步骤中通过固相扩散将该基板的电极端子和半导体芯片的电极端子倒装芯片结合；以及
底部填料硬化步骤，在该步骤中将该底部填充材料加热至硬化温度以硬化该底部填充材料，
其中在该底部填料硬化步骤中，将在该基板和该半导体芯片中的具有较低热膨胀系数的构件加热至比该基板和该半导体芯片中的另一个构件更高的温度；并且设定该基板和该半导体芯片的相应加热温度，以使该基板和该半导体芯片膨胀相同的量。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，
其中该半导体芯片的热膨胀系数低于该基板的热膨胀系数，并且
在该底部填料硬化步骤中，通过将加热构件设置为接触或靠近该半导体芯片的、与所述电极端子形成面相对的表面，加热该半导体芯片和该底部填充材料以硬化该底部填充材料。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，
其中在该结合步骤中，将该基板的电极端子和该半导体芯片的电极端子接触设置，并将超声波振动施加至该半导体芯片上以通过固相扩散使所述基板的电极端子和半导体芯片的电极端子结合在一起。
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