[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
申请号: | 200710001111.4 | 申请日: | 2007-01-16 |
公开(公告)号: | CN101060088A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 卢思维;赵智杰;郭祖宽;邹觉伦;张国钦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/498 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法,特别涉及一种半导体封装的制造方法,包括:提供一封装基板,该封装基板包括一基底材料;形成一内连线结构于该封装基板上,其中该内连线结构包括多个深插塞于该内连线结构的底部;连接至少一晶片至该封装基板的一第一表面;自相对于该第一表面的一第二表面薄化该封装基板,其中至少一部分的该基底材料被移除;以及于薄化该封装基板之后,连接多个球栅阵列球至暴露于该封装基板的该第二表面上的所述深插塞。本发明所提供的半导体封装结构及其制造方法,可有效降低作用于球栅阵列球及低介电常数介电材料的应力,也可增加封装的可靠度,并且提升封装系统的电子性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装的制造方法,其特征在于,该半导体封装的制造方法包括:提供一封装基板,该封装基板包括一基底材料;形成一内连线结构于该封装基板上,其中该内连线结构包括多个深插塞于该内连线结构的底部;连接至少一晶片至该封装基板的一第一表面;自相对于该第一表面的一第二表面薄化该封装基板,其中至少一部分的该基底材料被移除;以及于薄化该封装基板之后,连接多个球栅阵列球至暴露于该封装基板的该第二表面上的所述深插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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