[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710001111.4 申请日: 2007-01-16
公开(公告)号: CN101060088A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 卢思维;赵智杰;郭祖宽;邹觉伦;张国钦 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/498
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体封装结构及其制造方法,特别涉及一种半导体封装的制造方法,包括:提供一封装基板,该封装基板包括一基底材料;形成一内连线结构于该封装基板上,其中该内连线结构包括多个深插塞于该内连线结构的底部;连接至少一晶片至该封装基板的一第一表面;自相对于该第一表面的一第二表面薄化该封装基板,其中至少一部分的该基底材料被移除;以及于薄化该封装基板之后,连接多个球栅阵列球至暴露于该封装基板的该第二表面上的所述深插塞。本发明所提供的半导体封装结构及其制造方法,可有效降低作用于球栅阵列球及低介电常数介电材料的应力,也可增加封装的可靠度,并且提升封装系统的电子性能。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装的制造方法,其特征在于,该半导体封装的制造方法包括:提供一封装基板,该封装基板包括一基底材料;形成一内连线结构于该封装基板上,其中该内连线结构包括多个深插塞于该内连线结构的底部;连接至少一晶片至该封装基板的一第一表面;自相对于该第一表面的一第二表面薄化该封装基板,其中至少一部分的该基底材料被移除;以及于薄化该封装基板之后,连接多个球栅阵列球至暴露于该封装基板的该第二表面上的所述深插塞。
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