[发明专利]面心立方结构电容及其制造方法有效
| 申请号: | 200710000722.7 | 申请日: | 2007-01-10 | 
| 公开(公告)号: | CN101221949A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 | 
| 发明(设计)人: | 陈以勋;鲜思康 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 | 
| 主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/06;H01L23/522;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/768 | 
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 | 
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | 本发明公开了一种面心立方结构电容及其制造方法,该面心立方结构电容由一第一、第二金属层以及连接第一与第二金属层的连接层所组成,其中第一金属层由数条第一、第二金属线与数个第一金属块组成,该第一、第二金属线相互交叉形成一个网格结构,每一该第一金属块设置于该网格结构的一网格中;第二金属层由数条第三、第四金属线与数个第二金属块组成,该第三、第四金属线相互交叉形成一个网格结构,每一该第二金属块设置于该网格结构的一网格中;连接层由数个第三、第四金属块组成,每一该第三金属块连接每一该第一金属块与该第三、第四金属线的交叉处,每一该第四金属块连接每一该第二金属块与该第一、第二金属线的交叉处。 | ||
| 搜索关键词: | 立方 结构 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
                1.一种面心立方结构电容,其特征在于,包括有:一第一金属层,其由数条第一金属线、数条第二金属线与数个第一金属块组成,该第一金属线与该第二金属线相互交叉以形成一个网格结构,每一该第一金属块设置于该网格结构的每一网格中;一第二金属层,其由数条第三金属线、数条第四金属线与数个第二金属块组成,该第三金属线与该第四金属线相互交叉以形成一个网格结构,每一该第二金属块设置于该网格结构的每一网格中;以及一连接层,由数个第三金属块与数个第四金属块组成,其中每一该第三金属块连接每一该第一金属块与该第三金属线与该第四金属线的交叉处,每一该第四金属块连接每一该第二金属块与该第一金属线与该第二金属线的交叉处。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
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