[发明专利]静电吸盘的馈电结构及其制造方法以及静电吸盘的馈电结构的再生方法有效
| 申请号： | 200680055881.0 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101512749A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 宫下欣也;渡边喜裕 | 申请（专利权）人： | 创意科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在金属底板的上表面侧以离金属底板从近到远的顺序具备下部绝缘层、电极层以及表面绝缘介电层的静电吸盘中，下部绝缘层、电极层以及表面绝缘层上难以发生裂纹的静电吸盘的馈电结构。该静电吸盘的馈电结构具有：贯通孔，贯通所述金属底板的上下表面间；馈电端子，配设在该贯通孔内，将从金属底板的下表面供给的电压供给至层叠在上表面侧的电极层；以及绝缘保持部件，由电气绝缘性材料形成，使所述贯通孔的内壁与馈电端子之间绝缘，并且保持所述馈电端子，其中，所述馈电端子具有向金属底板的上表面侧凸出的馈电侧端部，该馈电侧端部的前端，处于所述电极层和下部绝缘层的界面的电极层侧，并位于所述电极层与表面绝缘介电层的界面以下。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 馈电 结构 及其 制造 方法 以及 再生 | ||
【主权项】：
1. 一种在金属底板的上表面侧以离金属底板从近到远的顺序具备下部绝缘层、电极层以及表面绝缘介电层的静电吸盘的馈电结构，其特征在于，所述静电吸盘具备：贯通孔，贯通所述金属底板的上下表面间；馈电端子，配设在该贯通孔内，将从金属底板的下表面供给的电压供给至层叠在上表面侧的电极层；以及绝缘保持部件，由电气绝缘性材料形成，使所述贯通孔的内壁与馈电端子之间绝缘，并且保持所述馈电端子，其中，所述馈电端子具有向金属底板的上表面侧凸出的馈电侧端部，该馈电侧端部的前端，处于所述电极层和下部绝缘层的界面的电极层侧，并位于所述电极层与表面绝缘介电层的界面以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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