[发明专利]加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁

摘要

本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O₂)与/或一含卤素气体(例如NF₃)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。

主权项

1.一种用于清洁一包含有多个腔室壁与一气体散布组件的处理腔室的方法，该气体散布组件具有一面板，该方法包括:在一远程等离子体源中从一含氧气体产生活性氧物质，其中该远程等离子体源连接至该处理腔室；在该远程等离子体源中从一含氮气体产生活性氮物质；导引该活性氧物质与该活性氮物质进入该处理腔室；以及在腔室中不存在有RF功率的情况下将该处理腔室的多个内表面暴露于该活性氧物质与该活性氮物质，而同时加热该气体散布组件与这些腔室壁，其中将多个内表面暴露于该活性氧物质与该活性氮物质可除去先前在该处理腔室中沉积一非晶形碳膜层期间形成于该处理腔室的内表面上的含碳沉积物。