[发明专利]加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁

权利要求书

1.一种用于清洁一包含有多个腔室壁与一气体散布组件的处理腔室的方法，该气体散布组件具有一面板，该方法包括:

在一远程等离子体源中从一含氧气体产生活性氧物质，其中该远程等离子体源连接至该处理腔室；

在该远程等离子体源中从一含氮气体产生活性氮物质；

导引该活性氧物质与该活性氮物质进入该处理腔室；以及

在腔室中不存在有RF功率的情况下将该处理腔室的多个内表面暴露于该活性氧物质与该活性氮物质，而同时加热该气体散布组件与这些腔室壁，其中将多个内表面暴露于该活性氧物质与该活性氮物质可除去先前在该处理腔室中沉积一非晶形碳膜层期间形成于该处理腔室的内表面上的含碳沉积物。

2.如权利要求1所述的方法，其中这些内表面被暴露于该活性氧物质与该活性氮物质，而不暴露于活性氟物质。

3.如权利要求1所述的方法，其中该活性氧物质是从O₂产生的，且该活性氮物质是从NF₃产生的。

4.如权利要求3所述的方法，其中从NF₃产生的活性物质流入该处理腔室的流速与从O₂产生的活性物质流入该处理腔室的流速的比值介于约0.1与约0.3之间。

5.如权利要求4所述的方法，其中该处理腔室的内表面在介于约1托与约2托之间的腔室压力下暴露于该活性氧物质与该活性氮物质。

6.如权利要求1所述的方法，其中该非晶形碳膜层是通过PECVD过程从一包含甲苯的气体混合物中沉积的。

7.如权利要求1所述的方法，还包括测量在该处理腔室中该活性氧物质与该活性氮物质的余晖发光。

8.一种用于清洁一包含有多个腔室壁与一气体散布组件的处理腔室的方法，该气体散布组件具有一面板，该方法包含:

在一远程等离子体源中从一含氧气体产生活性氧物质，其中该远程等离子体源连接至该处理腔室；

在该远程等离子体源中从一含氟气体产生活性氟物质；

导引该活性氧物质与该活性氟物质进入该处理腔室；以及

在腔室中不存在有RF功率的情况下将该处理腔室的多个内表面暴露于该活性氧物质与该活性氟物质，同时加热该气体散布组件与这些腔室壁，其中将多个内表面暴露于该活性氧物质与该活性氟物质可除去先前在该处理腔室的内表面上形成的含硅与碳的沉积物。

9.如权利要求8所述的方法，其中该活性氧物质是从O₂产生的，且该活性氟物质是从NF₃产生的。

10.如权利要求9所述的方法，其中从NF₃产生的活性物质流入该处理腔室的流速与从O₂产生的活性物质流入该处理腔室的流速的比值约为1:12。

11.如权利要求10所述的方法，其中该处理腔室的内表面在介于约1托与约2.8托之间的腔室压力下暴露于该活性氧物质与该活性氟物质。

12.如权利要求8所述的方法，其中在该处理腔室中从包含有机硅化合物与烃基化合物的混合物来沉积一低介电常数膜层的期间，形成该含硅与碳的沉积物。

13.如权利要求8所述的方法，还包括测量在该处理腔室中该活性氧物质与该活性氮物质的余晖发光。

14.一种用于清洁一处理腔室的方法，包括:

在该处理腔室中执行一基于氧气的灰化；

在一远程等离子体源中从一含卤素气体产生活性物质，其中该远程等离子体源连接至该处理腔室；以及

在该处理腔室中不存在有RF功率的情况下将该处理腔室的多个内表面暴露于该活性物质。

15.如权利要求14所述的方法，其中该基于氧气的灰化包括导入一含氧气体至该处理腔室并且在该处理腔室中施加RF功率以产生活性氧物质，且在将该处理腔室的多个内表面暴露于来自含卤素气体的活性物质之前该RF功率被终止。

16.如权利要求15所述的方法，其中该基于氧气的灰化包括导入O₂至该处理腔室，且该含卤素气体为NF₃。