[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池

摘要

本发明涉及用于制造太阳能电池的方法，该方法具有以下方法步骤：提供具有两个相对侧和p型基本掺杂的单晶质半导体实体；将质子通过第一侧以以下方式注入半导体实体，即形成一定数量的相互间隔设置的缺陷区域，这些缺陷区域始于一侧延伸入半导体实；执行热处理步骤，在热处理步骤中至少在缺陷区域的区域中加热半导体实体且其温度和持续时间选择为形成一定数量的相互间隔设置的n掺杂半导体区段；制造联接到n掺杂半导体区段的n掺杂发射极。

主权项

1.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法具有以下方法步骤：-提供单晶质半导体实体(100)，所述单晶质半导体实体(100)具有两个相对侧(101、102)和p型基本掺杂，-将质子通过所述侧的第一侧(101)用以下方式注入半导体实体(100)中，使得形成一定数量相互间隔设置的缺陷区域(11＇)，所述缺陷区域(11＇)始于所述一侧(101)延伸入半导体实体(100)，-执行热处理步骤，在所述热处理步骤中至少在所述缺陷区域(11＇)的区域中加热所述半导体实体，并且其温度和持续时间用以下方式选择，使得形成一定数量的相互间隔设置的n掺杂半导体区段(31)，-制造n掺杂发射极(13)，所述n掺杂发射极(13)联接到所述n掺杂半导体区段(31)。