[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法具有以下方法步骤：

-提供单晶质半导体实体(100)，所述单晶质半导体实体(100)具有 两个相对侧(101、102)和p型基本掺杂，

-将注入能量在0.5MeV和10MeV之间的质子通过所述侧的第一 侧(101)用以下方式注入半导体实体(100)，使得形成一定数量在所述半 导体实体的横向方向上相互间隔设置的缺陷区域(11′)，所述缺陷区域 (11′)始于所述第一侧(101)延伸入半导体实体(100)，

-执行热处理步骤，在所述热处理步骤中所述半导体实体至少在所 述缺陷区域(11′)的区域中被加热，并且其温度和持续时间用以下方式 选择，使得形成一定数量的相互间隔设置的n掺杂半导体区段(31)，

-制造n掺杂发射极(13)，所述n掺杂发射极(13)联接到所述n掺 杂半导体区段(31)，且所述n掺杂发射极(13)比所述n掺杂半导体区段 (31)更高地掺杂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述n掺杂发射极在所述第 一侧(101)的区域中制造。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述n掺杂发射极用以下方 式制造，使得存在具有p型基本掺杂的所述半导体实体(100)的部分(12) 直接联接到所述第一侧(101)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体实体具有垂直于 所述第一侧(101)和第二侧(102)伸展的边侧(103)，且其中在此所述 边侧(103)的区域中制造所述n掺杂发射极。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中制造了柱形的n 掺杂半导体区段(11)。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中制造了多个在所 述半导体实体(100)的横向方向上相互平行伸展的n掺杂半导体区段 (11)。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中制造了n掺杂半 导体区段(11)，所述n掺杂半导体区段(11)在平行于所述第一侧(101) 和第二侧(102)伸展的平面上形成为格状。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中注入所述质子包 括用多个注入能量的多个注入步骤。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中注入所述质子包 括用一个注入能量的注入步骤。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述质子在所 述注入步骤期间以关于所述第一侧(101)90°的角注入所述半导体实体 (100)。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述质子在所 述注入步骤期间以关于所述第一侧(101)小于90°且大于45°的角注入 所述半导体实体(100)。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述质子用以 下方式注入，使得所述缺陷区域(11′)始于所述第一侧(101)的深度相应 于一个值，所述值至少相应于在所述太阳能电池工作时通过所述第一侧 (101)的入射光的穿透深度和少数载流子的扩散长度的和。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述缺陷区域(11′)的深度 至少相应于所述太阳能电池工作时通过所述第一侧(101)的入射光的穿 透深度与所述少数载流子的扩散长度的和的两倍。