[发明专利]改良溅射靶应用无效
| 申请号： | 200680052469.3 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101375366A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | S·施奈德;M·米勒;J·维斯科西尔;I·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | OC欧瑞康巴尔斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 提供了一种用于纵向端部区域溅射靶改良应用的设备与方法。端部区域的腐蚀焦点得以拓宽，从而延长了靶材有效寿命。这就改善了效率并降低了浪费，因为可以在更大面积的中心区域上获得更多的靶材材料，而且靶材利用时间更长。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 溅射 应用 | ||
【主权项】：
1.一种溅射设备，其包括磁性组件，在操作期间在磁性组件上方安置包括中心区域和第一与第二纵向端部区域的溅射靶，所述磁性组件用来在所述靶材上方产生磁场，所述磁性组件具有一个包绕中心磁体装置的磁体外架，所述磁体外架包括第一与第二纵向延伸磁性侧向构件，它们分别位于中心磁性装置的两侧，第一与第二磁性端部构件位于所述外架相反纵向端部并将其限定，所述第一磁性端部构件用来对所述靶材第一纵向端部区域上方的所述磁场进行非静电调制。
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