[发明专利]改良溅射靶应用

权利要求书

1.一种溅射设备，其包括磁性组件(10)，在操作期间在磁性组件(10)上方安置包括中心区域和第一与第二纵向端部区域的溅射靶(20)，所述磁性组件(10)用来在所述溅射靶上方产生磁场，所述磁性组件具有一个包绕中心磁体装置(14)的磁体外架(12)，所述磁体外架(12)包括第一与第二纵向延伸磁性侧向构件(16、17)，它们分别位于中心磁性装置(14)的两侧，第一与第二磁性端部构件(18、19)位于所述外架相反纵向端部并将其限定，所述第一磁性端部构件(18)用来对所述溅射靶的第一纵向端部区域上方的所述磁场进行非静电调制；

其中，所述第一磁性端部构件(18)在所述第一与第二纵向延伸磁性侧向构件(16、17)之间相对所述溅射靶(20)侧向运动。

2.依据权利要求1所述溅射设备，所述第二磁性端部构件(19)用于对所述溅射靶的第二纵向端部区域上方的所述磁场进行非静态调制。

3.依据权利要求1或2所述溅射设备，所述中心磁性装置(14)可相对所述磁体外架(12)运动并对所述溅射靶的中心区域上方的所述磁场进行非静态调制。

4.依据权利要求3所述溅射设备，所述中心磁性装置(14)包括一对极性对置、纵向延伸而且可绕各自纵轴转动的永磁体(14a、14b)，它们用于使所述溅射靶的中心区域上方的所述磁场产生侧向变换。

5.依据权利要求3所述溅射设备，所述第一磁性端部构件(18)与所述可运动中心装置(14)操作地相结合，从而所述第一磁性端部构件(18)与可运动中心装置(14)同步运动，从而对所述溅射靶的中心区域及第一端部区域上方的所述磁场进行同步调制。

6.依据权利要求4所述溅射设备，所述第一磁性端部构件(18)与所述永磁体(14a、14b)操作地相结合，从而在所述永磁体交替在相反方向上转动时，所述第一磁性端部构件(18)的振荡将与所述永磁体(14a、14b)的转动同频同相，从而对所述溅射靶的中心区域与第一端部区域上方的所述磁场进行同相调制。

7.依据权利要求6所述溅射设备，所述第一磁性端部构件(18)与所述永磁体(14a、14b)操作地相结合，从而在所述第一磁性端部构件(18)与所述中心区域上方的振荡侧向变换磁场之间形成同步反运动。

8.依据权利要求1所述溅射设备，所述第一磁性端部构件(18)包括永磁体。

9.依据权利要求8所述溅射设备，所述永磁体是由一个滑架(45)所支撑的，该滑架可在至少一个导轨(46)上侧向滑动。

10.依据权利要求1所述溅射设备，所述第一磁性端部构件(18)包括电磁体，其中可通过对施加于所述电磁体上的功率或电压进行调制，进而对磁场进行调制。

11.依据权利要求1或2所述溅射设备，包括有多个所述磁性组件(10)以容装多个所述溅射靶(20)。

12.一种溅射方法，包括：提供溅射靶(20)，该溅射靶具有一个溅射靶表面(22)，该溅射靶表面(22)具有中心区域和分别位于中心区域两端的第一与第二纵向端部区域；在所述溅射靶表面(22)上方形成磁场；通过所述磁场将等离子体引向所述溅射靶表面(22)，所述等离子体腐蚀所述溅射靶表面(22)；对所述溅射靶表面(22)的第一端部区域上方的所述磁场进行调制，从而拓宽所述第一端部区域的所述溅射靶的腐蚀焦点；

所述溅射靶(20)位于磁性组件(10)上方以便在所述溅射靶表面上方形成所述磁场，所述磁性组件(10)具有包绕中心磁体装置(14)的磁体外架(12)，所述磁体外架(12)包括分别位于中心磁性装置(14)两端的第一与第二纵向延伸磁性侧向构件(16、17)，第一与第二磁性端部构件(18、19)位于所述外架相反纵向端部并将其限定，所述第一磁性端部构件(18)用于对所述溅射靶表面的第一端部区域上方的所述磁场进行调制；

其中，所述第一磁性端部构件(18)在所述第一与第二纵向延伸磁性侧向构件(16、17)之间相对所述溅射靶(20)侧向运动。

13.依据权利要求12所述溅射方法，还包括对所述溅射靶表面(22)的第二端部区域上方的所述磁场进行调制，从而拓宽所述第二端部区域的所述溅射靶的腐蚀焦点。