[发明专利]用于将其上具有低K介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法有效
| 申请号： | 200680050730.6 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101356629A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 帕梅拉·M·维辛廷;江平;迈克尔·B·克赞斯基;麦肯齐·金 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于从废弃的微电子器件上除去低k介电材料、浸蚀终止材料和/或金属堆叠材料的去除组合物和方法。所述去除组合物包括氢氟酸。所述组合物实现从其上具有材料的微电子器件结构的表面上至少部分地除去所述材料，以再循环和/或重复使用所述结构，而不会损坏半导体结构中所用的底层多晶硅或裸硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 材料 半导体 晶片 再循环 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除组合物，包括氢氟酸和水，其中所述组合物的特征还在于包括下列组分(I)和(II)中的至少一种：(I)至少一种胺；或(II)至少一种有机溶剂，其中所述组合物基本上不含胺类物质，并且其中所述去除组合物适合从其上具有材料的微电子器件上除去所述材料，所述材料选自低k介电材料、浸蚀终止材料、金属堆叠材料及其组合。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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