[发明专利]用于将其上具有低K介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法

权利要求书

1.一种去除组合物，包括氢氟酸、至少一种有机溶剂、水和至少 一种额外物质，

所述额外物质选自：至少一种氧化剂、至少一种螯合剂及其组合，

其中基于所述组合物的总重量，所述组合物包含小于1wt％的胺类 物质，并且

其中所述去除组合物适合从其上具有材料的微电子器件上除去所 述材料，所述材料选自低k介电材料、浸蚀终止材料、金属堆叠材料 及其组合。

2.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种有机溶剂包括选 自下列的物质：醇、醚、吡咯烷酮、二醇、含硫溶剂、二醇醚、羧酸 及其组合。

3.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种有机溶剂包括选 自下列的化合物：甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、二醇、三醇、2，2，3，3，4，4，5，5- 八氟-1-戊醇、1H，1H，9H-全氟-1-壬醇、全氟庚酸、1H，1H，7H-十二氟-1- 庚醇、全氟戊酸、1H，1H，8H，8H-十二氟-1，8-辛二醇、2，2，3，3，4，4，5，5-八 氟-1，6-己二醇、5H-全氟戊酸、七氟丁酸正丁酯、四氢呋喃、N-甲基吡 咯烷酮、环己基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-苯基吡咯烷酮、甲酸 甲酯、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、四氢噻吩砜、二乙醚、苯氧基-2-丙 醇、苯基·乙基甲酮、乳酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、乙腈、丙酮、 乙二醇、丙二醇、二噁烷、丁内酯、碳酸亚丁酯、碳酸亚乙酯、碳酸 亚丙酯、二丙二醇、二甘醇一甲醚、三甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、 三甘醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、二甘醇一丁醚、三甘 醇一丁醚、乙二醇一己醚、二甘醇一己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、 二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙 二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二 丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚及其组合。

4.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种有机溶剂包括选 自下列的物质：二甘醇丁醚、四氢噻吩砜及其组合。

5.权利要求1的去除组合物，其中所述微电子器件包括选自下列 的制品：半导体衬底、平板显示器和微机电系统。

6.权利要求1的去除组合物，还包括溶于其中的材料，其中所述 材料选自：低k介电材料、金属堆叠材料、浸蚀终止材料及其组合。

7.权利要求1的去除组合物，其中所述低k介电材料包括选自下 列的介电材料：含硅有机聚合物、含硅杂化有机材料、含硅杂化无机 材料、有机硅酸盐玻璃、TEOS、氟化的硅酸盐玻璃、氮化硅和掺碳氧 化物玻璃。

8.权利要求7的去除组合物，其中所述低k介电材料包括硅。

9.权利要求1的去除组合物，其中所述浸蚀终止材料包括选自下 列的材料：碳化硅、氮化碳硅、氧化碳硅、氧氮化硅、铜、硅锗、SiGeB、 SiGeC、AlAs、InGaP、InP、InGaAs及其组合。

10.权利要求1的去除组合物，其中所述金属堆叠材料包括选自 下列的材料：钽、氮化钽、氮化钛、钛、镍、钴、钨及其硅化物；铜； 铝；Al/Cu；Al的合金；Cu的合金；铪氧化物；铪的含氧硅酸盐；锆 氧化物；镧氧化物；钛酸盐；及其组合。

11.权利要求1的去除组合物，其中溶剂对HF的重量百分比为 0.5∶1至5∶1，水对HF的重量百分比为0.5∶1至5∶1。

12.权利要求1的去除组合物，包括螯合剂，其中所述螯合剂包 括选自下列的物质：甘氨酸、丙氨酸、氨三乙酸、亚氨基二乙酸、EDTA、 CDTA、琥珀酸及其组合。

13.权利要求1的去除组合物，其中所述组合物包括HF、水、四 氢噻吩砜和至少一种二醇醚。

14.权利要求1的去除组合物，其中所述组合物包括HF、水、四 氢噻吩砜和二甘醇丁醚。

15.权利要求1或11-14中任一项的去除组合物，其中基于组合物 的总重量，水的量小于80wt.％。