[发明专利]多电平单元存储装置的读出有效
| 申请号： | 200680049344.5 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101346774A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | K·D·泰德罗;D·阮;B·李;R·哈克;A·拉曼;S·P·莫纳萨;M·戈尔德曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/08;G11C16/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多电平单元存储装置，通过在字线上提供一个步进电压波形并将单元电流与一个基本上恒定的基准电流比较来进行读出。在施加该步进电压波形之前，该字线可与另一个电路节点共用电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 单元 存储 装置 读出 | ||
【主权项】：
1.一种存储电路，包括：多个具有可编程阈值电压的存储单元晶体管，多个存储单元晶体管中的每一个都具有一个栅极节点和一个漏极节点；与所述多个存储单元晶体管的栅极节点耦接的字线；用以在所述字线上施加一个电压序列的电路；多个读出放大器，其中每个读出放大器都耦接到所述多个存储单元晶体管的一个相应的漏极节点；以及电流镜电路，耦接到多个读出放大器中的每一个，以便提供一个基本上恒定的电流，用以与在所述存储单元晶体管的漏极节点中流动的电流比较。
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