[发明专利]多电平单元存储装置的读出有效
| 申请号: | 200680049344.5 | 申请日: | 2006-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN101346774A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | K·D·泰德罗;D·阮;B·李;R·哈克;A·拉曼;S·P·莫纳萨;M·戈尔德曼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/08;G11C16/28 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;张志醒 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电平 单元 存储 装置 读出 | ||
1.一种存储电路,包括:
多个具有至少四个可编程阈值电压的存储单元晶体管,所述多个 存储单元晶体管中的每一个都具有栅极节点和漏极节点;
与所述多个存储单元晶体管的栅极节点耦合的字线;
用以在所述字线上施加电压序列的电路,以生成流动到所述存储 单元晶体管的漏极节点中的每一个的电流,其中所述电压序列中的每 一个在两个连续可编程阈值电压之间,并且所述电压序列中的电压值 的数量比所述多个存储单元晶体管的可编程阈值电压的数量小1;
多个读出放大器,其中每个读出放大器耦合到所述多个存储单元 晶体管的相应的漏极节点;以及
耦合到所述多个读出放大器中每一个的电流镜电路,以便提供固 定的电流,用以与在所述存储单元晶体管的漏极节点中流动的电流比 较,从而确定由所述电压序列表示的数据。
2.权利要求1的存储电路,其中,所述电流镜电路包括多个并 联耦合的电流基准电路。
3.权利要求2的存储电路,其中,多个电流基准电路中的每一 个包括具有可编程阈值电压的晶体管。
4.权利要求1的存储电路,还包括耦合在所述电流镜电路和所 述多个读出放大器之间的采样-保持电路。
5.权利要求1的存储电路,还包括多个耦合成在所述多个读出 放大器的输出节点改变状态时存储数据的锁存器。
6.权利要求5的存储电路,还包括控制电路,用以控制在所述 字线上的所述电压序列的施加,并向所述多个锁存器提供数据。
7.权利要求6的存储电路,还包括具有耦合成可在电源节点上 接收电压序列的输出电路的x-译码器。
8.权利要求7的存储电路,其中,所述电源节点耦合成在提供 所述电压序列之前在电气上浮置。
9.权利要求7的存储电路,其中,所述控制电路耦合成使所述 电源节点预充电,然后在提供所述电压序列之前在电气上浮置。
10.一种电子系统,包括:
处理器;及
如权利要求1-9中任一项的存储电路。
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