[发明专利]绝缘或半导体表面的改性方法和如此获得的产品有效
| 申请号： | 200680049155.8 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101346419A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | C·比罗;J·潘松 | 申请（专利权）人： | 阿尔希梅尔公司 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张力更 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及带有芳族基团R的重氮盐R－N2+用于将所述芳族基团接枝到绝缘、半导体、二元或三元化合物或复合材料的表面上的用途，所述重氮盐以接近其溶解度极限的浓度，尤其以大于0.05M，优选大约0.5M至大约4M的浓度存在。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 表面 改性 方法 如此 获得 产品 | ||
【主权项】：
1.带有芳族基团R的重氮盐R-N2+用于将所述芳族基团接枝到绝缘、半导体、二元或三元化合物或复合材料的表面上的用途，所述表面具有大于或等于10-3Ω.m，优选大于或等于10-3Ω.m的电阻率，所述重氮盐以接近其溶解度极限的浓度，尤其以大于0.05M，优选大约0.5M至大约4M的浓度存在。
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