[发明专利]绝缘或半导体表面的改性方法和如此获得的产品

权利要求书

1.带有芳族基团R的重氮盐R-N₂⁺用于将所述芳族基团接枝到绝 缘、半导体、二元或三元化合物或复合材料的表面上的用途，所述表 面具有大于或等于10^-5Ω.m的电阻率，所述重氮盐以接近其溶解度极 限的浓度，以大于0.5M的浓度存在，

其中该芳族基团通过如下方式由所述重氮盐的还原产生：

-所述重氮盐的还原剂的使用，

-由所述重氮盐形成的电荷转移复合物的光化学辐射，或者

-超声处理所述重氮盐。

2.根据权利要求1的重氮盐R-N₂⁺的用途，其中所述重氮盐以0.5M 至4M的浓度存在。

3.绝缘材料、半导体材料、二元或三元化合物或复合材料的表面 的改性方法，用以获得其表面通过将任选地被官能团取代的芳族基团 接枝到所述表面上而改性的绝缘材料、半导体材料、二元或三元化合 物或复合材料，其中该表面与将其改性的接枝芳族基团之间的键的类 型是共价型的键，并且使得其耐受超声洗涤，

所述方法包括使所述表面与重氮盐接触并将带有所述芳族基团的 所述重氮盐在接近其溶解度极限的浓度下，在大于0.5M的浓度下，通 过所述重氮盐的还原剂的使用，通过由所述重氮盐形成的电荷转移复 合物的光化学辐射或者通过超声处理所述重氮盐来进行还原，以获得 在所述表面上接枝的所述芳族基团。

4.根据权利要求3的方法，其中带有所述芳族基团的所述重氮盐 以0.5M至4M的浓度存在。

5.根据权利要求3或4的方法，其特征在于表面和还原的重氮盐 的共存持续时间少于60分钟。

6.根据权利要求3的方法，其特征在于重氮盐符合式ArN₂⁺X^-，其 中Ar是芳族基团且X是阴离子，选自：卤素、硫酸根、磷酸根、高氯 酸根、四氟硼酸根、羧酸根和六氟磷酸根。