[发明专利]光激发碳化硅高压开关无效
| 申请号: | 200680048950.5 | 申请日: | 2006-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN101390223A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
| 发明(设计)人: | 乔治·J·卡波拉索;斯蒂芬·E·桑帕扬;詹姆斯·S·沙利文;戴维·M·桑德尔 | 申请(专利权)人: | 劳伦斯利弗莫尔国家安全有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09 |
| 代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 傅强国;涂 勇 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种改进的光电导开关,该光电导开关具有SiC或其他的较宽带隙基片材料比如GaAs、和优选由SiN构成的场分级划线器,该场分级划线器紧挨电极周界或紧挨基片周界而形成于基片上,用于对电场进行分级。 | ||
| 搜索关键词: | 激发 碳化硅 高压 开关 | ||
【主权项】:
1. 一种光电导开关,其包括:由带隙宽大于1. 6eV的材料构成的光电导基片,所述基片具有至少一个凹面、和与光源可光学连接的从中接收光能的小平面;和两个与所述基片电连接的用于对所述基片施加电势的电极,所述电极中的至少一个电极具有接触地设置在与所述至少一个凹面中所对应的凹面中的凸面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于劳伦斯利弗莫尔国家安全有限公司,未经劳伦斯利弗莫尔国家安全有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680048950.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蓝莓菊花胶囊及其制备方法
- 下一篇:平动转子式压缩机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





