[发明专利]光激发碳化硅高压开关

权利要求书

1.一种光电导开关，其包括：

由带隙宽大于1.6eV的材料构成的光电导基片，所述基片具有至少一个凹面、和与光源 光学连接的从中接收光能的小平面；和

两个与所述基片电连接的用于对所述基片施加电势的电极，所述电极中的至少一个电极 具有接触地设置在与所述至少一个凹面中所对应的凹面中的凸面，以及

两个在所述基片上形成的、围绕着所述基片的电极接触面的场分级划线器，用于沿电场 对其进行分级。

2.如权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述两个场分级划线器被整体地形成 于所述基片上、并且围绕着相对应的电极接触面之一，其中所述电极接触面是相对的表面。

3.如权利要求2所述的光电导开关，其特征在于，所述两个场分级划线器紧挨着所述电 极的周界。

4.如权利要求3所述的光电导开关，其特征在于，所述两个场分级划线器形成所述两个 凹面的边沿，用于在所述电极与所述基片的间隙处对电场进行分级。

5.如权利要求2所述的光电导开关，其特征在于，所述场分级划线器是高介电常数材料。

6.如权利要求2所述的光电导开关，其特征在于，所述场分级划线器选自于由导电材料 和半导体材料所构成的组。

7.如权利要求5所述的光电导开关，其特征在于，所述场分级划线器由氮化硅构成。

8.如权利要求6所述的光电导开关，其特征在于，所述导电材料或半导体材料形成为所 述基片的延伸入所述基片内约1微米深的掺杂次表层。

9.如权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述基片是包含有至少两个被分离层 分离的光电导层的多层结构，所述分离层选自于由导电材料和半导体材料所构成的组。

10.如权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述基片是选自于由4h SiC、6h SiC、 和GaN所构成的组的补偿性、半绝缘材料。

11.如权利要求10所述的光电导开关，其特征在于，所述基片是半绝缘SiC，所述半绝 缘SiC具有六方晶体结构并沿选自于由A平面、C平面和M平面所构成的组的平面截取。

12.如权利要求11所述的光电导开关，其特征在于，所述基片包括沿C平面截取并彼此 补偿的至少两层。

13.如权利要求11所述的光电导开关，其特征在于，所述半绝缘SiC中掺入如下掺杂剂 中的至少一种：硼、钒、氮、铝、磷、氧、钨和锌。

14.如权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述基片中的至少一个小平面涂有 电介质以产生全内反射。